揭秘EUV光刻核心技术：如何用纳米级测量打造下一代芯片？​

与传统透射式光掩模不同，EUV掩模采用反射式设计（因EUV光易被材料吸收）。其表面吸收层的高度变化需精确控制，才能实现13.5nm极紫外光的精准反射与衍射。

关键挑战：

•吸收层台阶高度误差需<1nm

•多层膜表面粗糙度要求<0.2nm

1. 白光干涉技术

通过分析反射光干涉条纹的相位变化，实现三维形貌纳米级重建，可精准捕捉吸收层微结构：

2. 0.01nm纵向分辨率

相当于1个硅原子直径的1/20，能检测到肉眼不可见的膜层凸起或凹陷：

3. 高效动态扫描

•单视野扫描仅需2秒（50倍物镜）

•自适应光学系统实时优化光路，应对表面倾斜或反射率变化：

▶ 缺陷检测

识别吸收层残留物、多层膜剥落等致命缺陷，避免数千万美元的晶圆报废：

▶ 工艺优化

量化刻蚀与沉积工艺的均匀性，推动良率提升：

随着3nm以下制程的演进，EUV掩模的测量精度需求将持续攀升。Sensofar S neox为代表的测量技术，正在为摩尔定律的延续铺设“看不见的基石"