打破测量瓶颈！Sensofar ePSI 技术，高精度表面检测的 “全能选手”

在半导体、精密光学等制造领域，表面测量常面临 “精度" 与 “范围" 的两难 —— 白光干涉（CSI）能扫数百微米却难及纳米级精度，相移干涉（PSI）达亚纳米精度却量程受限。而 Sensofar 的 ePSI 技术，用创新融合破解了这一难题。

ePSI 的核心，是让 CSI 与 PSI “强强联手"：依托 CSI 实现数百微米的宽范围扫描，覆盖宏观轮廓到中观结构；借助 PSI 达成 0.1nm 的亚纳米级分辨率，精准捕捉微小划痕、薄膜厚度差异。无需频繁换设备、调参数，一次测量就能兼顾全局与细节。

这一技术已在关键领域落地：半导体行业用它检测晶圆，先扫全局定位翘曲，再精细测量纳米级电路高度差，助力良率提升；精密光学领域靠它校准镜头，一次性搞定透镜曲率与纳米级光洁度检测；新材料测试中，它能无损测量纳米薄膜厚度，误差控制在 0.2nm 内。

从解决传统技术痛点，到为制造提效赋能，ePSI 正成为高精度表面检测的 “标配选择"，推动产业质量标准再升级。