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PRODUCTS CNTER蔡司双束电镜Crossbeam系列(FIB-SEM)结合了高分辨率场发射扫描电镜(FE-SEM)的出色成像和分析性能,以及新一代聚焦离子束(FIB)的优异加工能力。
蔡司双束电镜Crossbeam系列(FIB-SEM):专为高通量3D分析和样品制备量身打造的FIB-SEM
蔡司双束电镜Crossbeam系列(FIB-SEM)结合了高分辨率场发射扫描电镜(FE-SEM)的出色成像和分析性能,以及新一代聚焦离子束(FIB)的优异加工能力。无论是用于多用户实验平台,还是科研或工业实验室, 利用Crossbeam系列模块化的平台设计理念,您可基于自身需求随时升级仪器系统(例如使用LaserFIB进行大规模材料加工)。在加工、成像或是实现三维重构分析时,Crossbeam系列将大大提升您的聚焦离子束(FIB)应用效率。
使您的扫描电镜(SEM)具备强大的洞察力
提升您的聚集离子束(FIB)样品制备效率
在您的双束电镜(FIB-SEM)分析中体验出色的三维空间分辨率
通过样品台减速技术(Tandem decel,新型蔡司Gemini电子光学系统的一项功能)实现低电压电子束分辨率提升高达30%。
使用Gemini电子光学系统,您可以从高分辨率扫描电镜(SEM)图像中获取真实的样品信息。
在进行高度灵敏表面二维成像或三维断层成像时,您可以信赖蔡司双束电镜Crossbeam系列的性能。
即使在使用非常低的加速电压时也可获得高分辨率、高对比度和高信噪比的清晰图像。
借助一系列的探测器实现样品的表征;使用Inlens EsB探测器获得更纯的材料成分衬度。
使用低电压表征不导电样品,消除荷电效应的影响。
配置Gemini光学系统的蔡司双束电镜Crossbeam系列
得益于智能聚焦离子束(FIB)的扫描策略,移除材料相比以往实验快40%以上。
镓离子FIB镜筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式:尽可能减少样品损伤,提升样品质量,从而加快实验进程。
使用高达100 nA的离子束束流,高效而精确地处理样品,并保持高分辨率。
制备TEM样品时,请使用镓离子FIB镜筒Ion-sculptor的低电压功能:获得超薄样品的同时,尽可能降低非晶化损伤。
体验整合的三维能谱和EBSD分析所带来的优势。
在切割、成像或执行三维分析时,Crossbeam系列将提升您的FIB应用效率。
使用快速精准三维成像及分析软硬件包——Altas 5来扩展您的Crossbeam性能。
使用Atlas 5中集成的三维分析模块可在三维断层成像过程中进行EDS和EBSD分析。
双束电镜的断层成像可获得优异的三维空间分辨率和各向同性的三维体素尺寸;使用Inlens EsB探测器探测小于3 nm的深度,可获得极表面的材料成分衬度图像。
在加工过程中收集连续切片图像以节省时间;精确的体素尺寸和自动流程保证图像质量。
Crossbeam 350
利用低真空操作,使用可变压力模式对含有气体或带电的样品进行原位实验。通过Gemini电子光学系统和镓离子FIB镜筒Ion-sculptor,实现高质量成像。
Crossbeam 550
为您进行要求苛刻的材料表征并选择适合您的样品尺寸——标准尺寸或大尺寸。Gemini 2电子光学系统即使在低电压和高束流条件下亦可提供高分辨率。如需在高束流条件下获得高分辨率图像以及进行快速分析,这无疑是您的理想之选。
Crossbeam Laser
用于切割大量材料和制备大样品的仪器——交换舱内的飞秒激光助力原位研究,避免了舱室污染,并可配置于Crossbeam 350和550,快速找到深埋结构的入口以及制备要求苛刻的结构(如原子探针样品)。
Correlative Cryo Workflow(冷冻关联工作流程)
这种用于在冷冻条件下进行TEM薄片制备和体积成像的解决方案能够实现接近原生状态的成像。关联宽场显微镜、激光共聚焦显微镜和双束电镜, 同时保持多功能双束电镜的灵活性。
和所有的蔡司场发射扫描电镜一样,蔡司双束电镜Crossbeam系列的场发射扫描电镜镜筒基于Gemini电子光学系统。目前两款镜筒:配置Crossbeam 350的Gemini I VP镜筒和配置Crossbeam 550的Gemini II镜筒可供您选择。
场发射扫描电镜专为高分辨率成像而设计,其性能取决于它的电子光学镜筒。Gemini技术支持所有的蔡司场发射扫描电镜和双束电镜:特别为各种样品,尤其是低电压下提供高分辨和高效且操作简单的探测。
Gemini物镜是静电透镜和电磁透镜复合的电子光学结构,可大大提升镜筒的使用效果,面对富有挑战性的磁性样品同样有出色的成像效果。
Gemini镜筒配置的电子束加减速技术,可保证电子束斑尺寸和高信噪比。
Gemini镜筒内设置的探测器,可确保信号的高效收集,可同时收集二次电子(SE)和背散射电子(BSE)信号。
扫描电镜电子束对准可长期保持稳定,改变探针电流和加速电压对系统几乎没有影响。
无磁场泄露的光学系统可实现大视野无畸变高分辨成像。
样品倾斜转动时不影响电子光学系统的表现。
更广的样品和环境适用性
放气或者荷电样品原位实验的可行性
利用Inlens EsB探测器实现材料成分衬度
基于双聚光镜系统,在低电压大束流下依然可以获得高分辨图像
通过高分辨成像及快速分析技术可在短时间内获得更多信息
使用Inlens SE和EsB探测器实现形貌及成分衬度同时成像
得益于高度灵敏的表面成像分析
在低着陆能量下获取高分辨图像已经成为SEM应用的标准。本质上因为:
光束敏感样品
非导电材料
获得真实样品表面信息,而不受样品更深层背景信号的干扰
Gemini电子光学结构优化低电压和超低电压的分辨率并且增强了衬度。
其技术特点为使用高分辨率电子枪模式和可选的样品台减速技术(Tandem decel)。
高分辨率电子枪模式通过将电子束最初能量色散降低30%,令电子束色差尽可能降低。
样品台减速技术现配置给蔡司Crossbeam350/550,可以在两种不同的模式下使用:
样品台减速技术(Tandem decel)采用两步式电子束减速模式,它结合了电子束推进器技术和对样品施加的高负偏压,使入射束的电子减速,进而有效降低着陆电压。
施加50V到100V之间的可变负偏压,一种应用模式可增强您图像的对比度。
施加1kV到5kV之间的负偏压,提高您图像的低加速电压分辨率。
样品台减速技术可选样品偏压高达5 kV,进一步提高了低电压下的出色成像能力
发现一种新的聚焦离子束(FIB)处理方式
镓离子FIB镜筒Ion-sculptor 可在不影响加工精度的情况下加快您的FIB工作进程,并让您受益于其对任何样品的低电压性能。
蔡司Crossbeam产品系列配有新一代的镓离子FIB镜筒——Ion-sculptor,具有可实现高通量的高电流以及用于高样品质量的出色低电压性能。
充分利用镓离子FIB镜筒Ion-sculptor在低电压下的出色性能来提升样品质量。
尽可能减少您样品的非晶化并使您在减薄后获得出色结果。
产品具备全面稳定性,确保您获得精准且可重复的结果。
通过快速探头电流交换加速您的FIB应用。
借助高达100 nA的电子束流可进行高通量实验。
实现小于3 nm的出色的FIB分辨率。
Crossbeam产品系列配有用于长期实验的自动FIB发射恢复功能。
蔡司双束电镜Crossbeam 550配有Gemini II镜筒,包括双聚光镜和两个Inlens探测器以及一个以54°倾斜角度装置的FIB镜筒