技术优势体现在测量光刻胶图形或薄膜台阶时，S lynx的VSI模式能提供亚纳米级的垂直分辨率，有助于精确测量纳米级的膜厚变化。其非接触式测量避免了探针式轮廓仪可能对脆弱结构（如光刻胶）造成的损伤。对于具有高深宽比或陡峭侧壁的MEMS结构，共聚焦模式能够提供有效的形貌信息。测量注意事项测量反射率差异很大的材料（如金属线条 on 介质层）时，可能需要调整光照强度或使用中性密度滤光片来优化信号。对于非常光滑的晶圆表面，确保样品台清洁和避免振动对获得稳定的干涉条纹有影响。总结Sensofar S lynx轮廓仪为微电子领域的表面形貌监测提供了一种测量手段。其在薄膜厚度、粗糙度、三维结构尺寸等方面的测量能力，可用于支持工艺开发和质量控制流程。
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