白光干涉仪S neox的微电子领域应用

产品简介

白光干涉仪S neox的微电子领域应用:Sensofar S neox为微电子制造提供非接触式3D计量，应用于晶圆平整度、TSV通孔、封装凸点及MEMS器件的高精度快速测量，助力工艺控制与良率提升。

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更新时间：2025-11-14

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白光干涉仪S neox的微电子领域应用

微电子技术持续向着更小的线宽、更复杂的三维集成结构发展，对制造过程中的计量检测提出了持续的要求。无论是前道工艺的晶圆监测，还是后道的封装测试，都需要非接触、高精度、高效率的测量手段。Sensofar S neox 3D光学轮廓仪结合了白光干涉和共聚焦等技术，在微电子领域的一些环节中可作为测量方案的一种选择。

在晶圆制造中，化学机械抛光后晶圆的全局平整度和纳米尺度的表面粗糙度是需要监控的参数。S neox的白光干涉模式适合测量晶圆的纳米级粗糙度，而其大面积自动拼接功能可以评估晶圆的翘曲（Warp）和弯曲（Bow）等整体形貌参数。

对于三维集成电路中关键的硅通孔技术，通孔的深度、直径、侧壁形貌是工艺控制的重点。S neox可以通过高倍物镜对通孔结构进行三维形貌测量。虽然光学方法在测量高深宽比通孔的底部时会面临挑战，但其对于通孔开口形貌、附近区域形变以及较浅通孔的测量仍能提供有用信息。共聚焦模式对侧壁粗糙度的评估也有一定帮助。

在优良封装领域，凸点的高度、共面性、焊盘的平整度直接影响键合的质量和可靠性。S neox可以快速扫描整个芯片或基板上的凸点阵列，一次性获取所有凸点的三维高度和位置信息，自动计算高度分布、共面性参数，效率高于单点探测。

对于MEMS器件，需要精确测量可动结构的静态形貌，如悬臂梁的厚度、微镜面的平整度等。S neox的白光干涉模式能提供纳米级的分辨率。通过测量施加驱动电压前后结构的高度变化，可以间接分析其运动特性。

此外，在失效分析中，S neox可以用于观察和测量电路表面的缺陷，如划痕、残留物、腐蚀坑等，并提供三维尺寸信息。

需要注意的是，随着特征尺寸的不断缩小，光学衍射极限可能成为限制。此时，需要根据具体的结构尺寸和测量目标来评估S neox的适用性。但对于许多微米级及以上尺度的结构，以及纳米级的表面粗糙度和台阶高度测量，Sensofar S neox能够提供一种有价值的非接触、快速的三维计量手段，辅助工艺开发和产品质量控制。