3D光学轮廓仪S neox在半导体领域应用

产品简介

3D光学轮廓仪S neox在半导体领域应用:Sensofar S neox通过白光干涉与共聚焦技术，为晶圆翘曲、TSV通孔、CMP平整度及MEMS器件提供高精度三维测量，助力半导体工艺研发与质量控制。

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更新时间：2025-11-20

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三维光学轮廓仪

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3D光学轮廓仪S neox在半导体领域应用

半导体技术作为信息产业的基石，其制造工艺不断向着更小的线宽、更复杂的三维结构发展。无论是优良的芯片封装技术如TSV（硅通孔），还是微机电系统（MEMS）器件，其内部结构的尺寸、形状、粗糙度以及缺陷情况，直接关系到最终产品的性能和可靠性。在这些环节的质量控制与工艺研发中，非接触、高精度的三维表面测量技术显得尤为重要。Sensofar S neox 3D光学轮廓仪，结合了白光干涉和共聚焦技术，为半导体行业提供了一种测量方案。

在半导体制造中，晶圆的翘曲和应力是一个常见参数。过大的翘曲会影响光刻的对准精度，并可能导致后续工艺中的破裂。S neox凭借其大面积拼接能力和快速的共聚焦扫描模式，可以对整个晶圆或大尺寸样品进行面形测量，快速获取全场的三维形貌数据，评估翘曲度和应力分布，为工艺优化提供数据支持。

对于三维集成电路中常见的硅通孔（TSV）结构，其深宽比和侧壁形貌是工艺控制的重点。传统的白光干涉仪在测量高深宽比结构时可能会遇到衍射效应等挑战。S neox通过其5物镜集成转盘的变焦技术，可以灵活选择不同倍率、不同工作距离的物镜，以适应不同的结构尺寸。同时，其共聚焦模式能够对侧壁的粗糙度进行有效评估，而白光干涉模式则能对孔底的平坦度进行精细测量，这种多模式协作使得对复杂结构的全面表征成为可能。

在化学机械抛光（CMP）后，晶圆表面的平整度和纳米级别的表面缺陷直接影响到后续薄膜沉积的质量。S neox的白光干涉模式在此类光滑表面的测量中能发挥其优势，提供亚纳米级的分辨率，精确量化表面的粗糙度参数，并能够通过其高对比度的光学成像系统，快速定位和识别微米甚至亚微米尺度的划痕、颗粒等缺陷。

此外，在MEMS器件的特性分析中，虽然S neox本身不是高速摄像机，但其高精度的静态形貌测量能力对于表征微弹簧的弹性系数、悬臂梁的静态位移等参数有用。通过测量器件在施加电压前后形貌的变化，可以间接推导出其工作特性，为设计和验证提供依据。

Sensofar S neox的3D光学轮廓仪在半导体领域的应用，体现了其对行业特定需求的响应能力。它通过提供快速、全面且非破坏性的三维测量数据，帮助工程师和研究人员深入理解工艺结果，辅助研发周期，并为生产过程的稳定性提供信息。

3D光学轮廓仪S neox在半导体领域应用

上一个：3D光学轮廓仪S neox的自动化测量方案