白光干涉仪是一种基于宽带光源的精密测量仪器，其核心原理在于利用低相干光的干涉特性，实现对样品表面形貌或薄膜厚度的高精度、非接触测量。与单色光干涉不同，白光干涉因其宽光谱特性，使得干涉现象仅在光程差极小范围内发生，这一特性被广泛应用于微观形貌检测、光学薄膜表征及微结构分析等领域。其关键技术正是基于光谱干涉模式的生成与解析。一、光谱干涉的物理基础当一束白光（宽带光源）通过分束镜分为两束，一束射向参考镜，另一束射向待测样品后，两束光重新汇合并发生干涉。由于白光相干长度极短（通常仅为...

在微纳加工领域，1μm及以下线宽电极的制备一直是科研工作者面临的重大挑战。传统光刻技术受限于匀胶工艺、光学衍射极限等因素，难以实现高精度图形化。今天，我们将揭秘如何利用泽攸科技DMD无掩膜光刻机突破这一技术瓶颈！三大关键技术突破1.精密匀胶控制•采用AR-P-5350光刻胶，严格控制胶层厚度在1μm•"低速-高速"两步旋涂法，确保胶膜均匀性•精确控制前烘温度和时间，提升胶膜附着力2.智能曝光系统•通过QCAD/Klayout软件实现图形原位设计•智能剂量优化算法自动匹配最佳曝...

在微纳制造和精密测量领域，高深宽比结构的精确测量一直是技术难点。本文将深入探讨数值孔径(NA)与深宽比的关系，以及如何选择合适的光学系统来解决这一难题。数值孔径(NA)与深宽比的关系数值孔径(NA)是决定光学系统分辨率的关键参数，它直接影响物镜的消位置色差能力和测量性能。从图中可见：•NA越大：通光量越大，进光量减少，适合测量角度信息，具有更好的水平分辨率•NA越小：通光量越小，进光量增加，更适合测量宽深比较大的样品应用案例一：深孔结构测量在深孔测量中，结构光路受限导致光强衰...

西班牙Sensofar三维共聚焦白光干涉仪(以旗舰型Sneox为例)的优点集中体现在多技术融合、无运动部件设计、超高速扫描、全尺度表面覆盖、真彩色成像五大核心领域，以下为具体分析：多技术融合：一机覆盖全场景需求Sneox创新性地将共聚焦显微技术、白光干涉技术、相位差干涉技术和多焦面叠加技术集成于同一测量头。用户无需更换硬件或插拔模块，仅通过软件即可自动切换测量模式：共聚焦模式：以0.10μm横向分辨率实现临界尺寸测量，150倍物镜下可测70°光滑表面斜率(粗糙表面达86°)；...

在航空航天、电子器件等领域，Cu-Ni-Sn合金凭借高强度、抗腐蚀、安全无毒等优势，成为关键部件的“优选材料”——比如高功率密度柴油机的连杆衬套，就依赖其优异性能保障运行。但长期以来，传统铸造工艺始终受困于“枝晶偏析”难题，严重制约合金性能提升。近日，中北大学研究团队借助泽攸科技ZEM18台式扫描电镜，开展放电等离子烧结（SPS）制备Cu-6Ni-6Sn合金的系统研究，不仅成功破解偏析困境，更验证了短流程制备技术的可行性。今天，我们就来拆解这项研究的核心突破，以及ZEM18如...

一、EUV掩模：芯片制造的“光学模板”与传统透射式光掩模不同，EUV掩模采用反射式设计（因EUV光易被材料吸收）。其表面吸收层的高度变化需精确控制，才能实现13.5nm极紫外光的精准反射与衍射。关键挑战：•吸收层台阶高度误差需•多层膜表面粗糙度要求二、Sneox测量系统：亚纳米精度的三大突破1.白光干涉技术通过分析反射光干涉条纹的相位变化，实现三维形貌纳米级重建，可精准捕捉吸收层微结构：2.0.01nm纵向分辨率相当于1个硅原子直径的1/20，能检测到肉眼不可见的膜层凸起或凹...

一、CMP：芯片制造的“精密地基”化学机械平面化（CMP）通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，选择性去除材料表面凸起，使晶圆达到纳米级平整度。这种工艺是集成电路（IC）和微机电系统（MEMS）量产的核心环节，确保多层芯片结构的精确堆叠。若表面存在微小不规则，芯片性能将大幅下降。CMP如同一位“微观泥瓦匠”，为每一层电路铺设的基础平面。二、抛光垫：CMP的“隐形功臣”CMP的关键消耗材料是抛光垫，其凹槽设计直接影响抛光效果。长期使用会导致凹槽堵塞或表面釉化（抛光残留物堆积），降低...

在航空航天、汽车制造、半导体等高级工业领域，材料的微观组织结构直接决定其力学性能、耐蚀性及使用寿命。从金属合金的晶粒度到复合材料的界面结合，从涂层材料的孔隙率到焊接接头的相组成，这些“隐形特征”需通过金相分析才能被精准捕捉。徕卡金相显微镜凭借高分辨率光学系统、多模态成像技术及智能化分析软件，成为材料科学家与工业质检工程师的“微观手术刀”，在0.1微米的尺度上雕刻出材料性能的“基因图谱”。一、超高清成像：从“模糊晶界”到“原子级衬度”的光学突破传统金相显微镜在观察高碳钢、钛合金...